NTR1P02LT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：220毫歐@750mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.5nC@4V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：225pF@5V功率-最大值：400mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
