SIZ918DT-T1-GE3
PDF資料下載

SIZ918DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 14.3A, 26A 6X5

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
特色產(chǎn)品： PowerPAIR?
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：14.3A，26A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：12毫歐@13.8A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：790pF@15V
功率-最大值：4.2W，5.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-PowerPair?
供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?