STH270N4F3-6
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STH270N4F3-6參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STH270N4F3-6ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：STripFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.7毫歐@80A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：150nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7400pF@25V
功率-最大值：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-7，D²Pak（6引線+接片）
供應(yīng)商器件封裝：H²PAK