STP11N65M5參數(shù)：MOSFET N CH 650V 9A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP11N65M5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：Mdmesh™V包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：480毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：644nC@100V功率-最大值：85W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220
