STQ2HNK60ZR-AP
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STQ2HNK60ZR-AP參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STQ2HNK60ZR-APViewAllSpecifications
標準包裝：2,000
系列：SuperMESH™
包裝：帶盒（TB）
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：500mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.8歐姆@1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：280pF@25V
功率-最大值：3W
安裝類型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應商器件封裝：TO-92