US6M1TR
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US6M1TR參數(shù)：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs
產(chǎn)品目錄繪圖： TUMT-6PackageTop
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V，20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.4A，1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：240毫歐@1.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：70pF@10V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：TUMT6