VMO550-01F參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：2系列：HiPerFET™包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：590A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 110mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2000nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：50000pF @ 25V功率 - 最大值：2200W安裝類型：底座安裝封裝：Y3-DCB供應(yīng)商器件封裝：Y3-DCB
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