ZXMN3F31DN8TA
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ZXMN3F31DN8TA參數(shù)：MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5.7A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：24毫歐@7A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12.9nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：608pF@15V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP