NTD3808NT4G參數(shù):MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):16V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):12A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):5.8毫歐@15A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1660pF@12V功率-最大值:1.3W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線(xiàn)+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak