NTD3813N-35G
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NTD3813N-35G參數(shù)：MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：16V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.75毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.8nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：963pF@12V
功率-最大值：1.2W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短截引線，IPak
供應(yīng)商器件封裝：I-Pak