NTD3813N-1G參數(shù)：MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：16V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.75毫歐@15A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.8nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：963pF@12V功率-最大值：1.2W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
