NTD4857N-1G參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：12A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.7毫歐@30A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：24nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1960pF@12V功率-最大值：1.31W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
