NTD4857NT4G參數(shù):MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation30/Sept/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):12A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):5.7毫歐@30A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1960pF@12V功率-最大值:1.31W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak