NTD4857N-35G參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.7毫歐@30A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：24nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1960pF@12V功率-最大值：1.31W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短截引線，IPak供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
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