NTGD4161PT1G參數(shù):MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation30/Sept/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:2個(gè)P溝道(雙)FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):1.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):160毫歐@2.1A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):7.1nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):281pF@15V功率-最大值:600mW安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:SC-74,SOT-457供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP