NTGD4161PT1G參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation30/Sept/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：160毫歐@2.1A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：7.1nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：281pF@15V功率-最大值：600mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：SC-74，SOT-457供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
