NTGD4169FT1G
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NTGD4169FT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：90毫歐@2.6A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：295pF@15V
功率-最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應商器件封裝：6-TSOP