NTGD4167CT1G
PDF資料下載

NTGD4167CT1G參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.6A，1.9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：295pF @ 15V
功率 - 最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP