NTGS3433T1G參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChange08/Oct/2008標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：75毫歐@3.3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：550pF@5V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-74，SOT-457供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
