NTGS3433T1G參數(shù):MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: WireChange08/Oct/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):12V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):2.35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):75毫歐@3.3A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):15nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):550pF@5V功率-最大值:500mW安裝類型:表面貼裝封裝:SC-74,SOT-457供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP